相変化メモリデバイスの研磨用化学機械研磨用スラリー組成物およびそれを使った相変化メモリデバイスの研磨方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-163546
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016821
出願日： 2008年06月23日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：

【課題】本発明は、高速で相変化メモリデバイスを研磨することができる、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物を提供することを課題とする。【解決手段】前記課題は、脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物によって解決する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

脱イオン水および窒素化合物を含む、相変化メモリデバイスの化学機械研磨(CMP)用スラリー組成物。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 , H01L 45/00

FI (6件)：

H01L27/10 448 , H01L21/304 622D , B24B37/00 H , C09K3/14 550Z , C09K3/14 550D , H01L45/00 A

Fターム (13件)：

3C058AA07 , 3C058CA05 , 3C058CB01 , 3C058CB02 , 3C058CB04 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F083FZ10 , 5F083GA27 , 5F083JA56 , 5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (4件)

相変化メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-148556 出願人：三星電子株式会社
CMP研磨剤及び基板の研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-368863 出願人：日立化成工業株式会社
マイクロスクラッチングが少なくて金属酸化物の機械的研磨に適した金属CMPスラリー組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-173346 出願人：第一毛織株式会社

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