特許

J-GLOBAL ID：200903006481489125

不揮発性半導体記憶装置及びその作製方法、半導体装置及びその作製方法、並びに絶縁膜の作製方法

発明者： 掛端 哲弥 ,  田中 哲弘 ,  浅見 良信
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-136709
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004929
出願日： 2007年05月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：

【課題】膜特性に優れる絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。特に、緻密で高耐圧な絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。また、電子トラップの少ない絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。【解決手段】酸素を含む絶縁膜に対して、高周波を用いて電子密度が1×1011cm-3以上、且つ電子温度が1.5eV以下の条件でプラズマ処理を行う。また、プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体領域を形成し、 前記半導体領域上に酸素及び水素を含む第1の絶縁膜を形成し、 酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第1の絶縁膜をプラズマ処理することにより膜中の水素含有量を低減し、 前記第1の絶縁膜上に浮遊ゲート電極を形成し、 前記浮遊ゲート電極上に第2の絶縁膜を形成し、 酸素を含む雰囲気下で、マイクロ波により励起されたプラズマを用いて前記第2の絶縁膜をプラズマ処理し、 前記第2の絶縁膜上に制御ゲート電極を形成し、 前記制御ゲート電極をマスクとして不純物元素を添加し、前記半導体領域に一対の不純物領域を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の作製方法。

IPC (9件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (8件)：

H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 481 ,  H01L29/78 617V ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 C ,  H01L29/78 613B

Fターム (142件)：

5F058BA20 ,  5F058BB05 ,  5F058BB06 ,  5F058BB07 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC11 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF12 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF52 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F083EP02 ,  5F083EP04 ,  5F083EP22 ,  5F083EP23 ,  5F083EP33 ,  5F083EP34 ,  5F083EP44 ,  5F083EP55 ,  5F083EP56 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083EP76 ,  5F083EP77 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER13 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083GA24 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083NA01 ,  5F083PR12 ,  5F083PR34 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA19 ,  5F101BA26 ,  5F101BA36 ,  5F101BB02 ,  5F101BB05 ,  5F101BB08 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD30 ,  5F101BD33 ,  5F101BD34 ,  5F101BD35 ,  5F101BD40 ,  5F101BE01 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH01 ,  5F101BH16 ,  5F101BH21 ,  5F110AA06 ,  5F110AA08 ,  5F110AA12 ,  5F110BB08 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE30 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-212103   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-094245   出願人：大見忠弘
• 酸化シリコン薄膜の改質方法および薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-109234   出願人：松下電器産業株式会社
• 液晶表示装置の製造方法及び製造装置及び液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-041379   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-125363   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-376622   出願人：FASLJAPAN株式会社