半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376622
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207590
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：

【課題】レジスト工程の現像処理においてレジスト残渣の発生を防止し、動作信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置のレジスト工程において、レジスト膜を形成する工程前に、レジストの塗布面を酸素ガスや窒素ガスを含むプロセスガスを流しながらプラズマを発生させ、乖離した酸素ラジカル(O*)や、酸素イオン、窒素ラジカル(N*)、窒素イオンにより前記塗布面(側壁絶縁膜39、シリコン基板21等の表面)に残留する有機物、パーティクル等を除去すると共に表面を改質するプラズマ処理工程を設ける。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

感光性樹脂を塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を選択的に露光する工程と、前記レジスト膜を現像して開口部を設ける工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記レジスト膜を形成する工程前に前記感光性樹脂の塗布面をプラズマ処理するプラズマ処理工程を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/027 , G03F7/38 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4件)：

H01L21/30 563 , G03F7/38 501 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (24件)：

2H096AA25 , 2H096CA20 , 2H096JA02 , 5F046HA05 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083JA04 , 5F083JA33 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR01 , 5F083PR40 , 5F101BA19 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD07 , 5F101BD10 , 5F101BD35 , 5F101BH30

引用特許：

審査官引用 (14件)

レジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-009578 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101541 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
基板表面の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-072778 出願人：宇部興産株式会社

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