特許
J-GLOBAL ID：200903006488661284
電界放射型電子源およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-295952
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118529
出願日： 1999年10月18日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】ディスプレイ装置の電子源としての利用が容易な電界放射型電子源およびその製造方法を提供する。【解決手段】電界放射型電子源10は、ガラス基板からなる絶縁性基板11と、絶縁性基板11の一表面側に形成された導電性層8と、導電性層8上に形成された酸化した多孔質多結晶シリコン層からなる強電界ドリフト層6と、強電界ドリフト層6上に形成された表面電極7とを備える。絶縁性基板11は、上記一表面側に対向配置されて絶縁性基板11との間に気密空間を形成するフェースプレート(図示せず)側へ表面電極7よりも突出し且つフェースプレートとの間が所定距離に保たれるようにフェースプレートを支持する補強用スペーサ41が連続一体に形成されている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板と、絶縁性基板の一表面側に形成された導電性層と、導電性層上に形成された酸化若しくは窒化した多孔質半導体層よりなる強電界ドリフト層と、強電界ドリフト層上に形成された表面電極とを備え、表面電極を導電性層に対して正極として電圧を印加することにより導電性層から注入された電子が強電界ドリフト層をドリフトし表面電極を通して放出される電界放射型電子源であって、上記絶縁性基板は、上記一表面側に対向配置されて上記絶縁性基板との間に気密空間を形成するフェースプレート側へ上記表面電極よりも突出し且つフェースプレートとの間が所定距離に保たれるようにフェースプレートを支持する補強用スペーサが連続一体に突設されてなることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (4件)：
H01J 29/87
, H01J 5/03
, H01J 9/24
, H01J 31/12
H01J 29/87
, H01J 5/03
, H01J 9/24 A
, H01J 31/12 C
5C012BB07
, 5C032CC05
, 5C032CD06
, 5C036EE14
, 5C036EF01
, 5C036EF06
, 5C036EG31
, 5C036EH05
