特許
J-GLOBAL ID：200903038606343836
半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-050093
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250766
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】 冷電子放出素子の新しい展開を可能にするとともに、半導体応用分野の拡大を図り得る半導体冷電子放出素子及びこれを用いた装置を提供する。【構成】 シリコン基板1と、このシリコン基板1の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質シリコン層2と、この多孔質シリコン層2上に形成されるAu薄膜電極3と、前記シリコン基板1の裏面に形成されるオーミック電極4と、前記Au薄膜電極3に対向して配置され、真空雰囲気で前記Au薄膜電極3からの放出電子を捕獲するコレクタ電極5とを設ける。
請求項（抜粋）：
(a)半導体基板と、(b)該半導体基板の表面を陽極酸化処理により多孔質化した多孔質半導体層と、(c)該多孔質半導体層上に形成される金属薄膜電極と、(d)前記半導体基板の裏面に形成されるオーミック電極と、(e)前記金属薄膜電極に対向して配置され、真空雰囲気で該金属薄膜電極からの放出電子を捕獲するコレクタ電極とを具備することを特徴とする半導体冷電子放出素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01J 31/12
, H01S 3/18
H01L 33/00 A
, H01J 31/12 B
, H01S 3/18
