特許
J-GLOBAL ID:200903006516840866
薄膜形成方法、電子デバイスの形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 哲也 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-295161
公開番号(公開出願番号):特開2003-236453
出願日: 2002年10月08日
公開日(公表日): 2003年08月26日
要約:
【要約】【課題】薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、前記溶液の液滴を基板上に複数個配置し、各液滴から溶媒を蒸発させることにより前記基板上に薄膜を形成する方法において、基板上の所定位置に低分子化合物の薄膜を形成できるようにする。【解決手段】吐出する溶液の溶媒を基板上に塗布することにより、前記溶液からなる液滴の周囲に、溶媒と同じ成分からなる気体を積極的に存在させる。例えば、シリコン基板1上の、溶液からなる液滴2を形成しない位置に、溶媒からなる液滴3を配置する。
請求項(抜粋):
薄膜形成材料が溶媒に溶解している溶液を吐出することにより、前記溶液の液滴を基板上に複数個配置し、各液滴から溶媒を蒸発させることにより前記基板上に薄膜を形成する方法において、前記液滴の周囲に前記溶媒と同じ成分からなる気体が存在するように制御することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (6件):
B05D 1/26
, B05D 1/40
, B05D 7/24 302
, H01L 51/00
, H05B 33/10
, H05B 33/14
FI (6件):
B05D 1/26 Z
, B05D 1/40 A
, B05D 7/24 302 F
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H01L 29/28
Fターム (13件):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007FA03
, 4D075AC07
, 4D075AC65
, 4D075CA48
, 4D075DA06
, 4D075DB13
, 4D075DB14
, 4D075DC21
, 4D075EA05
, 4D075EB11
引用特許: