特許
J-GLOBAL ID：200903006517692569

半導体装置およびその製造方法

発明者：
根本 義彦

根本 義彦 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 高田 守 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-145333
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338516
出願日： 2002年05月20日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 有機絶縁膜とめっき膜との界面に生じた隙間を原因とする電極の腐食を防止して、電気的特性および信頼性に優れた半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体集積回路を備えた半導体基板1上に形成されて半導体集積回路と電気的に接続される電極2と、半導体基板1上に形成されて電極2を露出させる開口部3を有する有機絶縁膜4と、電極2上にバンプ下地金属膜を介して形成されたバンプ電極とを有する半導体装置において、バンプ下地金属膜は、第1の無電解めっき法によって形成された第1のめっき膜6と、第1の無電解めっき法とめっき液が異なる第2の無電解めっき法によって第1のめっき膜6上に形成された第2のめっき膜7とを有し、第1のめっき膜6の膜厚は有機絶縁膜4の膜厚よりも大きく、第1のめっき膜6の周縁部6aが有機絶縁膜4の上に重なるようにして形成する。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路を備えた半導体基板上に形成されて前記半導体集積回路と電気的に接続される電極と、前記半導体基板上に形成されて前記電極を露出させる開口部を有する有機絶縁膜と、前記電極上にバンプ下地金属膜を介して形成されたバンプ電極とを有する半導体装置において、前記バンプ下地金属膜は、第1の無電解めっき法によって形成された第1のめっき膜と、前記第1の無電解めっき法とめっき液が異なる第2の無電解めっき法によって前記第1のめっき膜上に形成された第2のめっき膜とを有し、前記第1のめっき膜の膜厚は前記有機絶縁膜の膜厚よりも大きく、前記第1のめっき膜の周縁部が前記有機絶縁膜の上に重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 604 D
引用特許：
審査官引用 (4件)
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