半導体装置、半導体ウエハ及び半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249919
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077231
出願日： 1999年09月03日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：

【要約】【課題】 CSP型の半導体装置の反りを防止すると共に、半導体装置内の配線を容易にする。【解決手段】半導体チップ11の素子形成面には、集積回路を構成する半導体素子12が形成されている。半導体素子12は保護膜であるシリコン酸化物等からなるパッシベーション膜13により覆われ、該パッシベーション膜13は封止用の第1の樹脂層14により覆われている。素子形成面上の周縁部には半導体素子12と電気的に接続されている電極端子15が形成されており、第1の樹脂層14上の少なくとも周縁部には電極端子15と電気的に接続されている金属配線層16が設けられている。

請求項（抜粋）：

素子形成面上に形成された半導体素子を有する半導体チップと、前記半導体チップの上に形成され、前記半導体素子を封止する第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層の上に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された導体からなる配線層と、前記半導体チップにおける前記素子形成面と反対側の面に形成された第2の樹脂層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/12 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 21/60

FI (3件)：

H01L 23/12 L , H01L 23/30 D , H01L 21/92 602 L

Fターム (6件)：

4M109AA02 , 4M109BA07 , 4M109CA10 , 4M109DB17 , 4M109EA15 , 4M109EB12

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-287394 出願人：ソニー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-256332 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284067 出願人：松下電子工業株式会社

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