特許
J-GLOBAL ID：200903006595592716
MOSトランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-506138
公開番号（公開出願番号）：特表平11-509370
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】基板(1)内にMOSトランジスタを形成する際に、ソース/ドレイン領域(9)及びドープされたゲート電極(10)は同時にドープ層(8)からの拡散により形成され、その際ソース/ドレイン領域(9)へのドーパントの分布をソース/ドレイン領域(9)の表面の透過性拡散バリヤ(7)により調整する。更にドーパントがゲート電極(10)から半導体基板(1)内に達するのを阻止するようにドーパントバリヤ(3′)を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面が少なくともソース/ドレイン領域を設けられている領域内で露出するように半導体基板(1)上にゲート誘電体(2)及びシリコンパターン(4′)を形成し、 少なくともソース/ドレイン領域用の領域の表面に透過性の拡散バリヤ(7)を形成し、 ソース/ドレイン領域用の領域内の透過性拡散バリヤ(7)の表面及びシリコンパターン(4′)の表面を覆うドープ層(8)を形成し、 ゲート電極(10)を形成するためにシリコンパターン(4′)をドープ層(8)からの拡散によりドープし、ソース/ドレイン領域(9)を同時にドープ層(8)からの拡散により形成し、その際ドーパントを透過性拡散バリヤ(7)を通して透過拡散させるMOSトランジスタの製造方法。
引用特許：
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