特許
J-GLOBAL ID：200903006623903331

超薄膜キャパシタおよびDRAM

発明者：
デニス・メルトン・ニュウンス

デニス・メルトン・ニュウンス について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195787
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058792
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 DRAM用の超薄膜キャパシタを提供する。【解決手段】 キャパシタとこのようなキャパシタを有するDRAMは、導電性のドープされたペロブスカイト物質の第1の層2と、第1の層に接触する、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質の第2の層3と、導電性ペロブスカイト物質の第1および第2の層の間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層である空乏層1とを有する。
請求項（抜粋）：
ドープされたペロブスカイト物質よりなる第1の電極と、前記第1の電極と接触し、反対導電型のドープされたペロブスカイト物質よりなる第2の電極と、前記第1の電極と第2の電極との間の界面に形成され、キャパシタの絶縁体層をなす空乏層と、を含むキャパシタ。
IPC (7件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/92
FI (6件)：
H01L 27/10 611 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/92 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/46
引用特許：
審査官引用 (5件)
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