特許
J-GLOBAL ID：200903006633816569

半導体レーザの製造方法

発明者：
藤井 宏明

藤井 宏明 について

, 
遠藤 健司

遠藤 健司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199070
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031600
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 p型不純物の水素による不活性化を防止し、高いpキャリア濃度を有することで、良好な高温動作特性及び経時的に安定なレーザ特性を備える半導体レーザの製造方法を提供する。【解決手段】 AlGaInP系可視光半導体レーザの作製において、結晶成長後の降温過程で雰囲気ガスを水素ガス+水素化5族ガスから、窒素ガス等の水素を含まないガスに切り替えることで、p型半導体結晶中への水素の取り込みを防止し、或いは既に取り込まれた水素の半導体からの脱離を促進する。これにより高いpキャリア濃度が得られ、良好な高温動作特性の実現と、経時的に安定なレーザ特性を実現することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも第1のクラッド層、活性層、及び第2のクラッド層を含むダブルへテロ構造を有する半導体レーザを反応管の中で半導体基板上に製造する半導体レーザの製造方法において、水素及び水素含有物質を含む第1の雰囲気ガス中で結晶を成長させる段階と、前記第1の雰囲気ガスから水素及び水素含有物質を除去する段階と、予め定められた脱水素時間の間、反応管内の温度を予め定められた脱水素温度に維持する段階と、反応管内を自然冷却する段階とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/30 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 B
Fターム (37件)：
5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CB03 ,  5F041FF14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AD10 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA68 ,  5F045DB02 ,  5F045EE12 ,  5F045EK27 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA13 ,  5F073CA14 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA28
引用特許：
審査官引用 (3件)

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