特許

J-GLOBAL ID：200903006710354611

半導体装置の作製方法

発明者： 一條 充弘 ,  赤井 静恵
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110940
公開番号（公開出願番号）：特開2003-309116
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月31日
要約：

【要約】【課題】 シリコンを含む第一のガスであるSiH4等に高周波電力を印加してプラズマを発生させると、数種類のラジカルが存在することが知られている。それらの中には、ラジカルとしての寿命が短いものもあり、これらが核となり、パーティクルが発生するといわれている。そのため、PCVD法により形成した膜には、これらのパーティクルが原因となって、絶縁耐圧不良(リーク)や特性のバラツキが見られる。【解決手段】 シリコンを含む第一のガスであるSiH4等とシリコンを含まない第二のガスであるN2O、NH3、N2、H2、またはAr等に高周波電力を印加して、薄膜を形成した後、続けて高周波電力を印加したまま、シリコンを含む第一のガスであるSiH4等の供給を止め、シリコンを含まない第二のガスであるN2O、NH3、N2、H2、またはAr等のみに高周波電力を印加して、反応室内に存在するパーティクルを排出する。

請求項（抜粋）：

減圧状態を保持可能な反応室内に、シリコンを含む第一のガスと、シリコンを含まない第二のガスと、を供給し、第1の電力で放電を発生させ、基板上に薄膜を形成する第1の処理と、前記シリコンを含む第一のガスの供給を止め、前記シリコンを含まない第二のガスのみ供給を続け、放電を維持したまま第2の電力を印加する第2の処理とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/316 X

Fターム (32件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030DA06 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030LA18 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE19 ,  5F045AF07 ,  5F045BB15 ,  5F045BB16 ,  5F045CA15 ,  5F045EH19 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310174   出願人：ソニー株式会社
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-334723   出願人：株式会社ジーティシー
• CVD膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-329785   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-153483   出願人：ソニー株式会社