特許
J-GLOBAL ID：200903019531891587

CVD膜の成膜方法

発明者：
藤田 繁

藤田 繁 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-329785
公開番号（公開出願番号）：特開2000-156373
出願日： 1998年11月19日
公開日（公表日）： 2000年06月06日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ裏面へのパーティクル付着を低減できるHDP-CVD膜の成膜方法を提供することである。【解決手段】 本方法は、静電チャック14によりウエハを保持する形式のLPCVD装置を使って、HDP-CVD(High Desity Plasma- CVD)膜を成膜する方法である。ウエハWを反応室12内に送入し、減圧して反応室内の圧力を安定化するステップと、プラズマ放電を開始し、プラズマ放電を安定化するステップと、静電チャックでウエハを保持し、反応ガスを導入してHDP-CVD膜を成膜するステップと、反応ガスの導入を停止すると共に静電チャックのチャック動作を停止するステップと、除電プラズマにより静電チャックの残留電荷を放電するステップとを備える。更に、残留電荷の放電ステップに続いて、ウエハを静電チャックから離間させて、除電プラズマ中に放置するステップを有する。
請求項（抜粋）：
静電チャックによりウエハを保持する形式のCVD装置を使って、CVD膜を成膜する方法であって、ウエハを反応室内に送入し、減圧して反応室内の圧力を安定化するステップと、プラズマ放電を開始し、反応室内に安定したプラズマを維持するステップと、静電チャックでウエハを保持し、反応ガスを導入してCVD膜を成膜するステップと、反応ガスの導入を停止すると共に静電チャックのウエハ保持動作を停止するステップと、成膜プラズマに代えて、反応室内に除電プラズマを発生させ、静電チャックの残留電荷を放電させるステップとを備えるCVD膜の成膜方法において、残留電荷の放電ステップに続いて、ウエハを静電チャックから上方に離間させて、除電プラズマ中にウエハを放置するステップを備え、ウエハの残留電荷を放電させることを特徴とするCVD膜の成膜方法。
IPC (5件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/68
FI (5件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/68 R
Fターム (34件)：
4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F031CA02 ,  5F031HA16 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F031PA26 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AC01 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045BB14 ,  5F045DP04 ,  5F045EH11 ,  5F045EJ02 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM05 ,  5F045EM10 ,  5F045HA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BG04 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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