特許
J-GLOBAL ID：200903006715551814
基板処理方法及び基板処理液
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-198604
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038969
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】基板に対してアルカリ溶液をなす処理液により所定の処理を行う際に不純物汚染を少なくすること。【解決手段】少なくとも表面部がシリコン又はシリコン酸化物からなる基板に対して、例えばアルカリ溶液である所定の処理液を用いて例えばエッチングなどの所定の処理を行う際に、チオシアン酸塩を含み、10重量%以上のアルカリ溶液からなる処理液を基板に供給してこの基板に所定の処理をする一方で、処理液中に分散した金属不純物又は前記所定の処理が行われて処理液中に分散する基板に付着していた金属不純物とチオシアン酸塩とを反応させる構成とする。この場合、金属不純物とチオシアン酸塩とが反応して金属不純物を捕獲することができるので、基板に金属不純物が付着して汚染されるのが抑えられる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
少なくとも表面部がシリコン又はシリコン酸化物からなる基板に対して所定の処理液により所定の処理を行う基板処理方法において、
チオシアン酸塩を含み、10重量%以上のアルカリ溶液からなる処理液を基板に供給してこの基板に所定の処理をする工程と、
処理液中に分散した金属不純物又は前記所定の処理が行われて処理液中に分散する基板に付着していた金属不純物と、チオシアン酸塩と、を反応させる工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/304 647Z
, H01L21/308 G
4H003DA15
, 4H003DB01
, 4H003EA07
, 4H003EA21
, 4H003EA23
, 4H003ED02
, 4H003FA07
, 5F043AA02
, 5F043AA31
, 5F043BB01
, 5F043BB22
, 5F043BB27
, 5F043EE23
