特許
J-GLOBAL ID:200903006747504508

積層体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-114651
公開番号(公開出願番号):特開平8-062404
出願日: 1995年05月12日
公開日(公表日): 1996年03月08日
要約:
【要約】【目的】 基材上に反射防止効果および帯電防止効果の高い透明な被膜が形成された光透過率40%以上の積層体を容易に製造し得る方法を提供する。【構成】 基材の表面上に導電性を有する高屈折率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率層が、(a)特定のアミノアルキルアルコキシシラン化合物、(b)特定のエポキシアルキルアルコキシシラン化合物、(c)特定のジルコニウムテトラアルコキシド、(d)ヘテロポリ酸化合物、(e)有機溶媒および(f)水よりなり、(a)と(b)と(c)のモル比が特定範囲とされ、かつ(a)と(d)と(e)と(f)のモル比が、特定範囲とされた帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得られる層からなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
基材の表面上に導電性を有する高屈折率層と、低屈折率層を、低屈折率層が最外層となるように、複層積層した積層体の製造方法であって、上記高屈折率層が、(a)下記の一般式[I]で表されるアミノアルキルアルコキシシラン化合物A、【化1】(式中、Yはアミノ基を有する有機基、Y1 は炭化水素基、Rは炭素数1〜5のアルキル基、mは1〜5の整数、nは0〜2の整数)(b)下記の一般式[II]で表されるエポキシアルキルアルコキシシラン化合物B、【化2】(式中、Zはグリシドキシ基またはエポキシシクロヘキシル基、Y2 は炭化水素基、R1 は炭素数1〜5のアルキル基、pは1〜5の整数、tは0〜2の整数)(c)一般式Zr(OR2 )4 (式中、R2 は炭素数1〜5 のアルキル基)で表されるジルコニウムテトラアルコキシド、(d)ヘテロポリ酸化合物、(e)有機溶媒および(f)水よりなり、アミノアルキルアルコキシシラン化合物A(a)とエポキシアルキルアルコキシシラン化合物B(b)とジルコニウムテトラアルコキシド(c)のモル比が93〜53:35〜5:12〜2であり、アミノアルキルアルコキシシラン化合物A(a)と(d)と(e)と(f)のモル比が、1:0.01〜0.35:15〜100:0.1〜5である帯電防止被覆用組成物を塗布することにより得られる層からなることを特徴とする光透過率40%以上の積層体の製造方法。
IPC (9件):
G02B 1/11 ,  B05D 5/06 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/00 ,  B05D 7/02 ,  B05D 7/24 302 ,  B05D 7/24 ,  B05D 7/24 303 ,  C08J 7/04
引用特許:
審査官引用 (15件)
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