特許
J-GLOBAL ID：200903006779622561

テラヘルツ電磁波発生装置及び方法

発明者：
西澤 潤一

西澤 潤一 について

, 
須藤 建

須藤 建 について

, 
田邉 匡生

田邉 匡生 について


出願人/特許権者：
財団法人半導体研究振興会

財団法人半導体研究振興会 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-307430
公開番号（公開出願番号）：特開2006-091802
出願日： 2004年09月21日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 本発明は生体分子の同定、癌細胞やウイルスの検出、IC部品検査、水分の検出など広範な応用に役立つ周波数可変テラヘルツ電磁波発生装置に関して、小型で出力変動が小さく、高速の測定が可能で、人の手によって移動させて測定することができ、微量分子測定にも適した可変周波数テラヘルツ電磁波発生装置及び方法を提供する。【解決手段】 高出力単一波長の半導体レーザをポンプ光源及び信号光源とし、導波路構造などにより、テラヘルツ電磁波が充分に小さい断面積内で同軸方向に位相整合された相互作用を起こさせることにより、効率良くテラヘルツ電磁波を発生させる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ポンプ光と信号光とを光非線形性結晶に導入してそれぞれの周波数の差に等しい周波数のテラヘルツ電磁波(THz波)を発生する装置及び方法において、ポンプ光源、信号光源の少なくとも一方が半導体レーザであり、光非線形性結晶内でポンプ光と信号光、テラヘルツ光がコリニアすなわちほぼ同一の光路で相互作用してテラヘルツ光が取り出されるように入射光学系及び光非線形性結晶が配置されていることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置及び方法。
IPC (2件)：
G02F 1/37 ,  H01S 1/02
FI (2件)：
G02F1/37 ,  H01S1/02
Fターム (6件)：
2K002AA04 ,  2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002CA13 ,  2K002DA06 ,  2K002HA20
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示
引用文献：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM