特許
J-GLOBAL ID：200903006794146547

結晶性半導体膜、該結晶性半導体膜を有する薄膜トランジスタ、並びに該薄膜トランジスタを有する半導体装置及びそれらの作製方法

発明者：
大沼 英人

大沼 英人 について

, 
野田 剛司

野田 剛司 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-261447
公開番号（公開出願番号）：特開2005-117029
出願日： 2004年09月08日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 本発明は、結晶の配向性を制御した結晶性半導体膜の新たな作製方法を提供することを課題とする。さらに結晶の配向性を異ならせた該結晶性半導体膜を有するnチャネル型TFT、及びpチャネル型TFTの作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に、結晶化を促進する金属元素を形成し、加熱処理を行うことにより結晶の配向性を制御した結晶性半導体膜を形成することを特徴とする。特に、非晶質珪素膜を14nm以下とすると、{100}結晶面に強く配向する結晶性珪素膜を形成することを特徴とする。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
{100}結晶面が{110}結晶面及び{111}結晶面より多く配向し、膜厚が14nm以下であることを特徴とする結晶性半導体膜。
IPC (6件)：
H01L21/20 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (8件)：
H01L21/20 ,  H01L21/322 G ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 620 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 613A
Fターム (86件)：
3K007AB05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007FA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052AA24 ,  5F052BB01 ,  5F052BB02 ,  5F052BB05 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052FA19 ,  5F052FA22 ,  5F052JA04 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE45 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110FF32 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL12 ,  5F110HM02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ28
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3287557号公報
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-274201   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (3件)

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