特許
J-GLOBAL ID：200903006814243080

AlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハ

発明者：
今野 泰一郎

今野 泰一郎 について

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柴田 真佐知

柴田 真佐知 について

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金田 直樹

金田 直樹 について

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柴田 憲治

柴田 憲治 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186356
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015805
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 p型クラッド層とp型ウインドウ層との間のヘテロ接合に起因するバンド不連続を解消し、エネルギー障壁を低くして動作電圧を低下できるAlGaInP系発光素子及び発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】 n型導電性を有する基板11と、その基板11上に少なくとも、AlGaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層13と、そのn型クラッド層12よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系化合物半導体からなる活性層14と、その活性層14よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型AlGaInP系化合物半導体からなるクラッド層15と、そのp型クラッド層15と同じ組成のAlGaInPからGaPへと徐々に組成が変化されてなるp型ウインドウ層10とを順次積層する。
請求項（抜粋）：
n型導電性を有する基板と、該基板上に少なくとも、AlGaInP系化合物半導体からなるn型クラッド層と、該n型クラッド層よりバンドギャップエネルギーが小さい組成のAlGaInP系化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きい組成のp型AlGaInP系化合物半導体からなるクラッド層と、該p型クラッド層と同じ組成のAlGaInPからGaPへと徐々に組成が変化されてなるp型ウインドウ層とを順次積層したことを特徴とするAlGaInP系発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3件)：
H01L 33/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
Fターム (32件)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA60 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA10 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA54 ,  5F045DA57 ,  5F045DA58 ,  5F045DA62 ,  5F045DA63 ,  5F045DA64 ,  5F073AA89 ,  5F073CA14 ,  5F073CB02 ,  5F073DA05 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-059219   出願人：ローム株式会社
  • 発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-211229   出願人：株式会社日立製作所
  • AlGaInP発光ダイオード
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-342409   出願人：昭和電工株式会社

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