特許
J-GLOBAL ID：200903006874437160
透明導電積層体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046159
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243160
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 本発明は現行の透明導電膜において、生産性を向上させるために導電膜の形成直後の抵抗値と高分子基板のガラス転移温度を超えない範囲での熱処理の間の抵抗変化が少ない低比抵抗な透明導電フィルムを提供することにある。【解決手段】 In-Zn-Oを主成分とするターゲットを用いて、スパッタリング法により、高分子基板上に、酸化インジウムを主体とし酸化亜鉛を4〜25重量%含む透明導電膜を形成する透明導電積層体の製造方法であって、水分圧に対する酸素分圧の比が10〜1000の範囲であり、不活性ガスに対する水分圧の比が1.3×10-5〜2.5×10-4の範囲であり、且つ80°C未満の温度に保持した雰囲気中で、高分子基板上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
請求項（抜粋）：
In-Zn-Oを主成分とするターゲットを用いて、スパッタリング法により、高分子基板上に、酸化インジウムを主体とし酸化亜鉛を4〜25重量%含む透明導電膜を形成する透明導電積層体の製造方法であって、水分圧に対する酸素分圧の比が10〜1000の範囲であり、不活性ガスに対する水分圧の比が1.3×10-5〜2.5×10-4の範囲であり、且つ80°C未満の温度に保持した雰囲気中で、高分子基板上に透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
IPC (2件)：
H01B 13/00 503
, C23C 14/34
H01B 13/00 503 B
, C23C 14/34 M
4K029AA11
, 4K029BA45
, 4K029BA50
, 4K029BB07
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029CA06
, 4K029DC05
, 4K029EA03
, 4K029EA05
, 4K029GA01
, 5G323BA02
, 5G323BB05
, 5G323BC03
