特許

J-GLOBAL ID：200903006895893343

半導体記憶装置

発明者： 松尾 洋 ,  渡部 真也 ,  横山 雄一 ,  井上 慎也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-291223
公開番号（公開出願番号）：特開平9-135002
出願日： 1995年11月09日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】 電気回路が正常に動作するように改良された半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板16の上に、ダイナミックランダムアクセスメモリセルのブロック11が設けられている。メモリセルブロック11のコーナ部の近傍に、ダミーストレージノード8が設けられている。ダミーストレージノード8を覆うように、かつDRAMの本体セルプレート1から電気的に絶縁されるように、ダミーセルプレート7が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた、ダイナミックランダムアクセスメモリのメモリセルのブロックと、前記メモリセルのブロックのコーナ部の近傍に設けられた、ストレージノードのダミーパターンと、前記ストレージノードのダミーパターンを覆うように、かつ前記ダイナミックランダムアクセスメモリの本体セルプレートから電気的に絶縁されるように設けられた、セルプレートのダミーパターンと、を備えた半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156911   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067809   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-082077
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229807   出願人：シャープ株式会社