特許
J-GLOBAL ID：200903006902563249
半導体結晶の成長方法および半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210691
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044489
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 本発明はの課題は、化合物半導体エピタキシャル層のキャリアの活性化率を向上し、さらに温度等の化合物半導体素子のおかれた環境の変化に対しても安定した特性を保つ化合物半導体エピタキシャル層の成長方法を提供することである。【解決手段】 上述の課題を解決するために、III-V族半導体基板上の化合物半導体エピタキシャル層の成長時に、少なくとも、水素との解離エネルギー(結合性)が異なる、2種類の不純物元素を同時に該化合物半導体エピタキシャル層中に導入する化合物半導体結晶成長方法を開発した。
請求項（抜粋）：
半導体基板としてGaAs又はInPを用い、該半導体基板に接して成膜される化合物半導体エピタキシャル層を成膜する化合物半導体結晶の成長方法において、該化合物半導体エピタキシャル層として(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>P(式中xは0<x≦1を満足する数であり、yは0<y<1を満足する数である。)、Ga<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>As(式中xは、前記とは独立に0<x≦1を満足する数である。)、Ga<SB>x</SB>In<SB>1-x</SB>As<SB>y</SB>P<SB>1-y</SB>(式中xは、前記とは独立に0<x≦1を満足する数であり、yは0<y<1を満足する数である。)、(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>y</SB>In<SB>1-y</SB>As(式中xは、前記とは独立に0<x≦1を満足する数であり、yは0<y<1を満足する数である。)及びAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As(式中xは、前記とは独立に0<x≦1を満足する数であり、yは0<y<1を満足する数である。)からなる群より選ばれた化合物半導体をエピタキシャル層として用い、かつ、該化合物半導体エピタキシャル層の成長時に、水素との解離エネルギーが異なる2種類以上の不純物元素を該化合物半導体エピタキシャル層中に導入する化合物半導体結晶の成長方法。
Fターム (17件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041AA42
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA39
, 5F041CA48
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA66
, 5F041CA73
