特許

J-GLOBAL ID：200903006934026393

太陽電池セルの製造方法及びその太陽電池セル

発明者： 松宮 律夫
出願人/特許権者： 有限会社松宮半導体研究所
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-108965
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：

【課題】 基板における結晶欠陥の除去と、基板と電極との接触抵抗を低減することにより、基板の直列抵抗を下げ発電効率を向上する。【解決手段】 結晶基板11の表面に凹凸加工を施した後にpn接合し、更にその表面に反射防止膜14を形成する。次いで上記結晶基板11の表面に、レーザ光を照射して溝16を形成し、この溝16を等方性エッチングにより結晶欠陥を除去する。次にこの結晶欠陥を除去した溝16内にドライアイス粒子をブラストした後に、この溝16に導電性材料を挿着して電極を形成する。結晶欠陥を除去した溝16の幅は、縦溝16aにおいて30〜55μmであり横溝16bにおいて20〜35μmであり、結晶欠陥を除去した溝16の深さが、縦溝16aにおいて40〜55μmであり横溝16bにおいて25〜45μmであり、ドライアイス粒子は粒径0.1〜100μmのドライアイススノーである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

pn接合してその上に反射防止膜(14)を形成した結晶基板(11)の凹凸を有する表面に、レーザ光を照射して溝(16)を形成する工程と、この溝(16)を等方性エッチングにより結晶欠陥を除去する工程と、前記結晶欠陥を除去した溝(16)に導電性材料を挿着して電極(33)を形成する工程とを含む太陽電池セルの製造方法において、 前記結晶欠陥を除去した溝(16)に導電性材料を挿着する前に、前記溝(16)内にドライアイス粒子(17)をブラストする工程を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。

IPC (2件)：

H01L31/04 ,  B24C1/00

FI (2件)：

H01L31/04 H ,  B24C1/00 A

Fターム (9件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB03 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA16 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-124991   出願人：シャープ株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-005584
  
• 埋め込み接点ソーラセルのメタライゼーション
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-515350   出願人：ユニサーチリミテッド
• 光電変換装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-228523   出願人：鐘淵化学工業株式会社