特許
J-GLOBAL ID：200903006982554164
静電誘導トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-276954
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114544
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】オフ特性の優れたSiCの静電誘導トランジスタを提供する。【解決手段】第一のゲート層(4)に囲まれた部分にさらに浅くて間隔の狭い第二のゲート層(4)を設ける。【効果】オフ特性の優れた静電誘導トランジスタが加工精度が確保できる製作方法で実現できる。
請求項（抜粋）：
第一導電型のSiC半導体基体と、前記SiC半導体基体の表面に形成された、第二導電型の第一のゲート層と、前記表面に形成された第一導電型のソース層と、前記ソース層と接触したソース電極と、前記第一のゲート層に接触したゲート電極と、前記SiC半導体基体に接触したドレイン電極と、を備える静電誘導トランジスタにおいて、前記表面の前記第一のゲート層に囲まれた領域において前記第一のゲート領域に接し、前記第一のゲート領域より幅ならびに深さが小さな複数個の第二導電型の第二のゲート層を有することを特徴とする静電誘導トランジスタ。
Fターム (9件)：
5F102FB01
, 5F102GB04
, 5F102GC07
, 5F102GC08
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GS09
, 5F102HC07
, 5F102HC11
