特許
J-GLOBAL ID：200903007039307987
原子間力顕微鏡のリソグラフィー技術を用いた極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
熊倉 禎男
, 小川 信夫
, 箱田 篤
, 浅井 賢治
, 平山 孝二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-541015
公開番号（公開出願番号）：特表2007-512702
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】原子間力顕微鏡を用いた極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法を提供すること。【解決手段】基板の多層薄膜構造上に蒸着させた吸収体のパターニング時に原子間力顕微鏡の探針と吸収体間の陽極酸化現象を利用し、基板から所定の高さと幅を有する金属酸化物層を形成させ、この金属酸化物層をエッチング処理して超微細線幅の吸収体パターンを形成させる原子間力顕微鏡リソグラフィー技術を利用した極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法。 本発明によると、高い解像度を有する極紫外線露光マスクミラーを製造することができ、既存の方法に比べて微細の吸収体パターンサイズ(線幅30nm未満)を有する反射型多層薄膜ミラーを製造することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーを製造する方法において、
(a)シリコン基板上に反射型多層薄膜及び保護膜を蒸着する段階と;
(b)前記多層薄膜及び保護膜の上に、吸収体としてクロム、タンタル及びタングステンのうちから選ばれた一つの金属薄膜を蒸着する段階と;
(c)原子間力顕微鏡を用いて探針と前記薄膜構造の基板の間に電界を印加し、基板上に所定の高さと幅を有する金属酸化物層を選択的に形成する段階と;
(d)この金属酸化物層をエッチング処理し、超微細線幅の吸収体パターンを形成する段階と;
を含むことを特徴とする原子間力顕微鏡リソグラフィー技術を用いた極紫外線露光工程用反射型多層薄膜ミラーの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA01
, 2H095BA10
, 2H095BB14
, 5F046GD15
出願人引用 (3件)
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米国特許第6,110,607号
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米国特許第6,229,652号
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米国特許第6,228,512号
審査官引用 (3件)
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