特許
J-GLOBAL ID：200903097037943877
有機薄膜パターンの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
林 宏
, 工業技術院産業技術融合領域研究所長 (外1名)
, 林 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-100504
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283937
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 安価で作製プロセスが簡単、かつ欠陥密度の少なく、位置精度の極めて高く、比較的大面積の構造をも含むような有機単分子膜の微細構造パターンを効率よく形成する方法を提供する。【解決手段】 0.5nmから数十nm程度の極薄酸化膜1のある基板2の表面を、低湿度環境下において電界下で先鋭な先端を持つプローブ3を走査することにより、プローブが走査された近傍領域のみを部分的に電界支援酸化すると、この酸化膜パターンには有機化合物薄膜が成長しにくく、それ以外の極薄酸化膜があった部分にのみ完全な単分子膜が成長する。これを利用し、有機化合物の微細構造パターンを形成する。
請求項（抜粋）：
極薄酸化膜層のある基板上を、電界下で先鋭な先端を持つプローブで走査することにより、プローブが走査された近傍領域のみに部分的に電界支援酸化膜を形成し、この基板上における電界支援酸化膜パターン以外の部分に有機化合物薄膜を選択成長させることを特徴とする有機薄膜パターンの製造方法。
引用特許：
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