特許

J-GLOBAL ID：200903007086760649

スルホニウム塩

発明者： 岩渕 淳 ,  大澤 陽介
出願人/特許権者： 東洋合成工業株式会社
代理人 (2件)： 栗原 浩之 ,  村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355579
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277219
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】フォトレジストの主成分である酸解離基を有するポリマーとの相溶性を改善し、光酸発生剤としての機能を有するスルホニウム塩を提供する。【解決手段】式(1)で表されるスルホニウム塩。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されることを特徴とするスルホニウム塩。

IPC (6件)：

C07C 381/12 ,  C07C 309/06 ,  C07C 309/31 ,  G03F 7/004 ,  C07D 285/00 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

C07C381/12 ,  C07C309/06 ,  C07C309/31 ,  G03F7/004 503A ,  C07D285/00 ,  H01L21/30 502R

Fターム (17件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025BE07 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025FA12 ,  4C036AD02 ,  4C036AD04 ,  4C036AD18 ,  4C036AD25 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB76 ,  4H006AB80 ,  4H006TN30

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許第4491628号
  

審査官引用 (4件)

• 熱架橋型光酸発生剤およびこれを用いたフォトレジスト
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-163642   出願人：三星電子株式会社
• レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-052032   出願人：東京応化工業株式会社
• ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-416584   出願人：東京応化工業株式会社
• 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-212878   出願人：富士写真フイルム株式会社