特許
J-GLOBAL ID：200903082035813529

レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者：
辻 裕光

辻 裕光 について

, 
内海 義之

内海 義之 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-052032
公開番号（公開出願番号）：特開2006-058842
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 イマージョンリソグラフィー工程において用いられる溶媒中への物質溶出を低減できるレジスト組成物、および該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 酸発生剤成分(B)として、下記一般式(b-1)[式中、R11〜R13は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し、R11〜R13のうち少なくとも1つは、少なくとも1つの水素原子がアルキル基で置換されたアリール基を表し、Z-はアニオンを表す。]で表されるオニウム塩系酸発生剤(B1)、または、環式基含有アニオンを有するオニウム塩系酸発生剤(B2)を含有することを特徴とするレジスト組成物。【化1】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
酸の作用によりアルカリ可溶性が変化する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含み、浸漬露光する工程を含むレジストパターン形成方法に用いられるレジスト組成物であって、 前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(b-1)で表されるオニウム塩系酸発生剤(B1)を含有することを特徴とするレジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (13件)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17
引用特許：
審査官引用 (6件)
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