チップ型半導体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅川哲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031924
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229097
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】半導体チップを基板上にダイボンドする工程の簡略化と、ダイボンドした半導体チップのワイヤボンディング工程の省略を目的とする。【解決手段】第1の基板9の上面に半導体ウエハ11を導電性接着剤10を介してダイボンドする工程と、第1の基板9は残した状態で半導体ウエハ11を半導体チップ12毎にダイシングする工程と、ダイシングした半導体ウエハ11の上面に第2の基板13を導電性接着剤10を介してダイボンドする工程と、前記ダイシングによって生じた各半導体チップ12間の隙間に透光性樹脂14を充填して各半導体チップ12毎に封止する工程と、樹脂封止した第1の基板9、半導体ウエハ11及び第2の基板13を前記ダイシングした半導体チップ12毎に再度ダイシングしてチップ型半導体15を得る工程とを備える。

請求項（抜粋）：

第1の基板の上面に半導体ウエハを導電性接着剤を介してダイボンドする工程と、第1の基板は残した状態で半導体ウエハを半導体チップ毎にダイシングする工程と、ダイシングした半導体ウエハの上面に第2の基板を導電性接着剤を介してダイボンドする工程と、前記ダイシングによって生じた各半導体チップ間の隙間に樹脂を充填して封止する工程と、樹脂封止した第1の基板、半導体ウエハ及び第2の基板を前記ダイシングした半導体チップ毎に再度ダイシングしてチップ型半導体を得る工程とを備えたことを特徴とするチップ型半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/52 , H01L 21/301 , H01L 31/0232 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/52 C , H01L 33/00 N , H01L 21/78 Q , H01L 31/02 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123008 出願人：ローム株式会社
特開昭58-034951
半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-070664 出願人：シャープ株式会社

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審査官引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-123008 出願人：ローム株式会社
特開昭58-034951

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