特許
J-GLOBAL ID:200903007145754380

表面プラズモン放射光検出方法および装置、表面プラズモン放射光検出用試料セルおよびキット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 柳田 征史 ,  佐久間 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-109792
公開番号(公開出願番号):特開2009-258034
出願日: 2008年04月21日
公開日(公表日): 2009年11月05日
要約:
【課題】表面プラズモン放射光検出を、極めて高感度に行う。【解決手段】誘電体プレート11と該プレート11の一面の所定領域に設けられた金属膜12を備えたセンサチップ10を用意し、誘電体プレート11と金属膜12との界面に、全反射条件で励起光L0を入射させて金属膜12に表面プラズモンを誘起し、この表面プラズモンに起因して金属膜12上に生じる電場増強場内において、試料に含まれる蛍光標識が付与された被検出物質から生じる蛍光Lfが、金属膜12に新たな表面プラズモンを誘起し、この表面プラズモンからの放射光Leを誘電体プレート11の励起光を入射させた面側から検出する表面プラズモン放射光検出方法において、蛍光標識として、蛍光色素分子15を、蛍光色素分子15から生じる蛍光を透過すると共に、蛍光色素分子15が金属膜12に近接した場合に生じる金属消光を防止する消光防止材料16により包含してなる消光防止性蛍光物質Fを用いる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
誘電体プレートおよび該プレートの一面の所定領域に設けられた金属膜を備えたセンサチップを用意し、 該センサチップの前記金属膜に試料を接触させた状態で、前記誘電体プレートと前記金属膜との界面に、前記誘電体プレートの前記一面とは反対の面から全反射条件で励起光を照射して前記金属膜に表面プラズモンを誘起し、 前記表面プラズモンに起因して前記金属膜上に生じる電場増強場内において、前記試料に含まれる被検出物質の量に応じた量の蛍光標識物質の蛍光標識から生じる蛍光が前記金属膜に新たに表面プラズモンを誘起し、前記誘電体プレートの前記反対の面から出射される、前記新たに誘起された表面プラズモンからの放射光を検出する表面プラズモン放射光検出方法において、 前記蛍光標識として、蛍光色素分子を、該蛍光色素分子から生じる蛍光を透過すると共に、該蛍光色素分子が前記金属膜に近接した場合に生じる金属消光を防止する消光防止材料により包含してなる消光防止性蛍光物質を用いたことを特徴とする表面プラズモン放射光検出方法。
IPC (2件):
G01N 21/64 ,  G01N 21/78
FI (3件):
G01N21/64 G ,  G01N21/64 F ,  G01N21/78 C
Fターム (34件):
2G043AA01 ,  2G043BA16 ,  2G043CA03 ,  2G043DA02 ,  2G043DA05 ,  2G043DA06 ,  2G043EA01 ,  2G043HA01 ,  2G043HA02 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G043MA01 ,  2G054AA07 ,  2G054AB04 ,  2G054CA23 ,  2G054CE02 ,  2G054EA03 ,  2G054EB01 ,  2G054FA08 ,  2G054FA12 ,  2G054FA17 ,  2G054FA18 ,  2G054FA21 ,  2G054FA32 ,  2G054GA01 ,  2G054GA03 ,  2G054GA04 ,  2G054GA05 ,  2G054GA06
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (8件)
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引用文献:
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