特許

J-GLOBAL ID：200903007154286284

CMP用スラリーおよび半導体装置の製造方法

発明者： 松井 之輝 ,  南幅 学 ,  矢野 博之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-037179
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247605
出願日： 2003年02月14日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】平坦性が高く、欠陥密度や表面不純物濃度が低減されたダマシン配線を形成可能なCMP用スラリーを提供する。【解決手段】溶媒と、研磨粒子と、HLB値が7以上20以下のシリコーン系界面活性剤とを含有することを特徴とする。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

溶媒と、研磨粒子と、HLB値が7以上20以下のシリコーン系界面活性剤とを含有することを特徴とするCMP用スラリー。

IPC (4件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

FI (6件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  B24B37/00 H ,  H01L21/88 K ,  H01L21/90 C ,  H01L21/90 V

Fターム (38件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ50 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033XX01 ,  5F033XX34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 化学機械研磨用水系分散体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-055349   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 化学機械研磨用研磨剤スラリ-
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-333383   出願人：株式会社岡本工作機械製作所
• 金属層用化学・機械研磨スラリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-258875   出願人：キャボットコーポレイション