特許
J-GLOBAL ID：200903007173939000
レーザアニール方法及びレーザアニール装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006862
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209069
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 光学装置の劣化を抑制することが可能なレーザアニール方法及びレーザアニール装置を提供する。【解決手段】 表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部に、該表面において第1の方向に長いビームスポット形状を有するレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に平行であってかつ第1の方向と交わる第2の方向に移動させる。基板を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させる。基板の表面のうち、前のレーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部にレーザ光を照射しながら、基板を、その表面に平行であってかつ第1の方向と交わる第3の方向に移動させる。
請求項（抜粋）：
表面に半導体膜が形成された基板の該表面の一部に、該表面において第1の方向に長いビームスポット形状を有するレーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面に平行であってかつ前記第1の方向と交わる第2の方向に移動させる第1のレーザ光照射工程と、前記基板を、その表面に垂直な軸を中心としてある角度回転させる工程と、前記基板の表面のうち、前記第1のレーザ光照射工程でレーザ光の照射された領域以外の領域の一部に前記レーザ光を照射しながら、前記基板を、その表面に平行であってかつ前記第1の方向と交わる第3の方向に移動させる第2のレーザ光照射工程とを有するレーザアニール方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/268 F
, H01L 21/268 G
, H01L 21/20
