特許
J-GLOBAL ID：200903007249464562

太陽電池の製造方法およびそのための組成物

発明者：
志保 浩司

志保 浩司 について

, 
加藤 仁史

加藤 仁史 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-319304
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124486
出願日： 2001年10月17日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。【解決手段】 上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、(A)式SinRmで表されるポリシラン化合物 並びに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。
請求項（抜粋）：
一対の電極の間に、不純物の濃度および/または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、(A)式SinRm(ここで、nは3以上の整数であり、mはn〜(2n+2)の整数でありそしてm個のRは互いに独立に水素原子、アルキル基、フェニル基またはハロゲン原子である、但しm個のRの全てが水素原子であり且つm=2nであるとき、nは7以上の整数であるものとする。)で表されるポリシラン化合物 並びに(B)シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも1種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および/または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  C01B 33/02
FI (3件)：
C01B 33/02 D ,  C01B 33/02 E ,  H01L 31/04 V
Fターム (20件)：
4G072AA01 ,  4G072AA03 ,  4G072BB09 ,  4G072BB12 ,  4G072BB13 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072RR01 ,  4G072UU02 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051BA12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051CB25 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
引用特許：
審査官引用 (3件)

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