ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物、パターンの製造方法及びこれを用いた電子部品

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-027309
公開番号（公開出願番号）：特開2001-214055
出願日： 2000年01月31日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】感度や解像度も良好な耐熱性のポジ型感光性樹脂組成物、上記組成物の使用による、パターンの製造法を提供する。【解決手段】(A)一般式(1)(式中、Aは四価の有機基であり、R1は二価の有機基であり、個々のR2は独立に水素原子又は酸の作用で分解し水素原子に変換し得る一価の有機基であり少なくともその一方は一価の有機基である)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体であって、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体により形成される膜が膜厚20μm当たりi線透過率が1%以上であり、かつ、シリコンウエハ上に形成された前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の膜をオキサゾール閉環して形成されるポリベンゾオキサゾール膜の残留応力が25MPa以下であるポリベンゾオキサゾール前駆体及び(B)放射線照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール前駆体組成物。

請求項（抜粋）：

(A)一般式(1)【化1】(式中、Aは四価の有機基であり、R1は二価の有機基であり、個々のR2は独立に水素原子又は酸の作用で分解し水素原子に変換し得る一価の有機基であり少なくともその一方は一価の有機基である)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体であって、前記ポリベンゾオキサゾール前駆体により形成される膜が膜厚20μm当たりi線透過率が1%以上であり、かつ、シリコンウエハ上に形成された前記ポリベンゾオキサゾール前駆体の膜をオキサゾール閉環して形成されるポリベンゾオキサゾール膜の残留応力が25MPa以下であるポリベンゾオキサゾール前駆体及び(B)放射線照射により酸を発生する化合物を含有してなるポジ型感光性樹脂組成物。

IPC (5件)：

C08L 79/04 , C08G 73/22 , G03F 7/039 , H01L 21/027 , H01L 21/312

FI (5件)：

C08L 79/04 B , C08G 73/22 , G03F 7/039 , H01L 21/312 D , H01L 21/30 502 R

Fターム (53件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA10 , 2H025AB17 , 2H025AC01 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025BJ00 , 2H025CB26 , 2H025CB34 , 2H025CB41 , 2H025FA09 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 4J002CM021 , 4J002EB106 , 4J002EH146 , 4J002ES006 , 4J002EV246 , 4J002EV286 , 4J002EV296 , 4J002GQ00 , 4J002GQ05 , 4J043PA02 , 4J043PA19 , 4J043QB34 , 4J043RA52 , 4J043SA06 , 4J043SA71 , 4J043SB01 , 4J043TA12 , 4J043TB01 , 4J043UA122 , 4J043UA131 , 4J043UA262 , 4J043UA311 , 4J043UA621 , 4J043UB011 , 4J043UB121 , 4J043UB281 , 4J043UB301 , 4J043VA021 , 4J043ZB22 , 5F058AA10 , 5F058AC07 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG03 , 5F058AH02 , 5F058AH03

引用特許：

審査官引用 (3件)

架橋されたポリマー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098487 出願人：オー・シー・ジー・マイクロエレクトロニツク・マテリアルズ・インコーポレイテツド
感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-051418 出願人：信越化学工業株式会社
耐熱性ポジ型フオトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-065634 出願人：日東電工株式会社

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