特許
J-GLOBAL ID:200903088333608537

反射防止膜材料

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-088202
公開番号(公開出願番号):特開平6-273926
出願日: 1993年03月23日
公開日(公表日): 1994年09月30日
要約:
【要約】【目的】 微細で寸法精度及び合わせ精度が高い上、簡便な工程で生産性及び再現性良く、しかも環境面での問題もなく、半導体集積回路の製造時においてフォトリソグラフィーのレジストパターン形成を可能にし得る反射防止膜材料を提供する。【構成】 下記一般式(1)で示されるパーフルオロアルキルスルホン酸アンモニウム塩又は下記一般式(2)で示されるパーフルオロアルキルカルボン酸アンモニウム塩と少なくとも一種類の水溶性樹脂とを配合する。【化1】(式中、Rは水素原子又はアルキル基であり、nは1〜20の整数である。)
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるパーフルオロアルキルスルホン酸アンモニウム塩又は下記一般式(2)で示されるパーフルオロアルキルカルボン酸アンモニウム塩と少なくとも一種類の水溶性樹脂とを含有してなることを特徴とする反射防止膜材料。【化1】(式中、Rは水素原子又はアルキル基であり、nは1〜20の整数である。)
IPC (6件):
G03F 7/004 506 ,  G03F 7/004 504 ,  C07C219/06 ,  C07C309/76 ,  G03F 7/11 502 ,  H01L 21/027
引用特許:
審査官引用 (3件)

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