特許
J-GLOBAL ID：200903007389990515

ガスデポジション装置およびガスデポジション方法

発明者：
進 藤 勇

進 藤 勇 について


出願人/特許権者：
株式会社クリスタルシステム

株式会社クリスタルシステム について


代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103272
公開番号（公開出願番号）：特開2004-307934
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】大型の基板であっても基板表面へ、微細で、高精度な製膜作業が簡単に実施でき、しかも、極めて安価なコストで製膜作業が可能なガスデポジション装置、およびそれを用いた超微粒子のガスデポジション方法を提供する。【解決手段】超微粒子生成室に配置した蒸発源を加熱蒸発させることにより生成した超微粒子を搬送ガスとともに搬送して、噴射ノズルを介して、製膜室内に配置した基板上に噴射することによって、基板表面に超微粒子からなる膜を製膜するガスデポジション装置であって、噴射ノズルと基板との間に、透明な遮蔽板を介装自在に配置したものである。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超微粒子生成室に配置した蒸発源を加熱蒸発させることにより生成した超微粒子を搬送ガスとともに搬送して、 噴射ノズルを介して、製膜室内に配置した基板上に噴射することによって、基板表面に超微粒子からなる膜を製膜するガスデポジション装置であって、 前記噴射ノズルと基板との間に、透明な遮蔽板を介装自在に配置したことを特徴とするガスデポジション装置。
IPC (3件)：
C23C14/24 ,  C23C24/04 ,  G02F1/1343
FI (3件)：
C23C14/24 T ,  C23C24/04 ,  G02F1/1343
Fターム (31件)：
2H092HA00 ,  2H092HA01 ,  2H092HA04 ,  2H092HA11 ,  2H092HA12 ,  2H092HA19 ,  2H092JA24 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB71 ,  2H092KA06 ,  2H092KA12 ,  2H092KA22 ,  2H092KB01 ,  2H092MA02 ,  2H092MA03 ,  2H092MA22 ,  2H092MA35 ,  2H092MA46 ,  4K029BA05 ,  4K029CA01 ,  4K029DA06 ,  4K029DA12 ,  4K029EA00 ,  4K029JA01 ,  4K044AA06 ,  4K044BA08 ,  4K044BB01 ,  4K044CA13 ,  4K044CA44 ,  4K044CA71
引用特許：
審査官引用 (4件)
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