特許
J-GLOBAL ID：200903007408352614

太陽電池及びその製造方法

発明者：
奈須野 善之

奈須野 善之 について

, 
梶原 慶

梶原 慶 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115510
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307796
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 安価で良好な光電変換効率を示し、かつ簡単で安価な工程で製造しうる太陽電池及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】 第1導電型の不純物を含有したシリコン半導体基板1に、この基板1の光入射側である表面に第2導電型の不純物を含有したシリコン半導体層2と、この基板1の裏面に基板中の第1導電型の不純物より高濃度の第1導電型の不純物を含有したポーラスなシリコン層から構成された裏面電界層5とを設けてなることを特徴とする太陽電池により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の不純物を含有したシリコン半導体基板に、この基板の光入射側である表面に第2導電型の不純物を含有したシリコン半導体層と、この基板の裏面に基板中の第1導電型の不純物より高濃度の第1導電型の不純物を含有したポーラスなシリコン層から構成された裏面電界層とを設けてなることを特徴とする太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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