特許
J-GLOBAL ID：200903028883470599
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075544
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270361
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 結晶性の基体を実質的に必要な厚さずつスライスして、あるいはさらにこの上に液相成長法で結晶層を堆積して太陽電池を形成する方法を提供する。【解決手段】 薄膜結晶太陽電池の製法において、(i)結晶質の基体の表面に微細孔を多数含む多孔質層を形成する工程と、(ii)この多孔質層に励起エネルギーを与えて、その表面を含む多孔質層の一部を微細孔を含まない平滑層に変性する工程と、(iii)平滑層を基体より剥離する工程を含む。励起エネルギーを与える方法としては、水素雰囲気中での熱処理、波長600nm以下の光の照射、電子線の照射等の方法がある。
請求項（抜粋）：
(a)結晶性の基体の表面に、多数の微細孔を含む多孔質層を所定の厚さ形成する工程と、(b)前記多孔質層の表面を含む一部を、実質上微細孔を含まない結晶性の平滑層に変性する工程と、(c)前記平滑層に変性されずに残った多孔質層の部分から、前記結晶性の基体より剥離する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 31/04 H
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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