半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150516
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】例えば層間絶縁膜としてフッ素添加カ-ボン膜を用いた半導体装置を簡易な手法のデュアルダマシン法で製造すること。【解決手段】基板2に絶縁膜例えばSiO2 膜3を成膜した後、当該SiO2膜3にビアホ-ル31をエッチングし、次いでSiO2 膜3の上面に上部絶縁膜例えばCF膜4を成膜する。ここで埋め込み特性の悪い成膜材料例えばC6 F6ガスをプラズマ化することにより前記CF膜の成膜を行うと、ビアホ-ル31内へのCF膜の埋め込みを抑えながらSiO2 膜3の上面にCF膜4を成膜できる。続いてCF膜4に溝41をエッチングすることにより、溝41とビアホ-ル31とが一体となったデュアルダマシン形状を容易に製造することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜にビアホ-ルをエッチングする工程と、ビアホ-ルが形成された絶縁膜の表面に、埋め込み特性の悪い成膜材料を用いて上部絶縁膜を形成する工程と、前記上部絶縁膜に、金属を埋め込むことにより配線を形成するための溝を前記ビアホ-ルの少なくとも一部に接触するようにエッチングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H01L 21/314 , H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/88 B , H01L 21/31 C , H01L 21/314 A , H01L 21/302 J , H01L 21/90 C

Fターム (80件)：

5F004AA11 , 5F004BA14 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004DB08 , 5F004DB23 , 5F004DB25 , 5F004DB26 , 5F004EA03 , 5F004EA07 , 5F004EA26 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH11 , 5F033JJ11 , 5F033MM02 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ27 , 5F033QQ28 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ76 , 5F033QQ92 , 5F033QQ93 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR23 , 5F033RR24 , 5F033RR25 , 5F033RR26 , 5F033SS01 , 5F033SS02 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT04 , 5F033XX12 , 5F033XX24 , 5F033XX33 , 5F045AA10 , 5F045AB06 , 5F045AB33 , 5F045AB39 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD07 , 5F045DC51 , 5F045DC61 , 5F045DC63 , 5F045HA03 , 5F045HA13 , 5F058AC03 , 5F058AC04 , 5F058AC05 , 5F058AF04 , 5F058AG04 , 5F058AH02 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BD02 , 5F058BD03 , 5F058BD10 , 5F058BD18 , 5F058BF09 , 5F058BF23 , 5F058BH12 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289271 出願人：ソニー株式会社
低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-022701 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-311384 出願人：新日本製鐵株式会社

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