特許
J-GLOBAL ID：200903007556391181

微細構造キャパシタ及びその製造方法、高密度記録媒体及びその製造方法

発明者：
出来 成人

出来 成人 について


出願人/特許権者：
財団法人新産業創造研究機構

財団法人新産業創造研究機構 について


代理人 (2件)： 梶 良之 ,  須原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088401
公開番号（公開出願番号）：特開2005-277118
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2005年10月06日
要約：
【課題】小型でありながら高容量の微細構造キャパシタ及びその製造方法と、小型でありながら高記録容量の高密度記録媒体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 微細構造キャパシタ1は、複数の中空突起部を有する金属等からなる電極である第1電極層2と、この中空突起部側と相似形状となるように第1電極層2を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層3と、傾斜組成セラミックス層3をさらに被覆する金属等からなる電極である第2電極層4とを備えるものである。高密度記録媒体は、層厚が1μm以下の金属等からなる電子を反射する第1反射層と、第1反射層上に被覆される層厚が1μm以下の磁性層と、磁性層上に被覆され、層厚が10nm以下の金属等からなる電子を反射する第2反射層とからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属又は金属化合物からなる電極である第1電極層と、前記第1電極層を被覆し、かつ、厚み方向に対して組成が連続的に傾斜変化させられている傾斜組成セラミックス層と、前記傾斜組成セラミックス層をさらに被覆する金属又は金属化合物からなる電極である第2電極層とを備える微細構造キャパシタ。
IPC (8件)：
H01G4/12 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84 ,  G11B5/858 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00
FI (11件)：
H01G4/12 346 ,  H01G4/12 364 ,  G11B5/65 ,  G11B5/66 ,  G11B5/738 ,  G11B5/84 Z ,  G11B5/858 ,  H01G4/30 301A ,  H01G4/30 301E ,  H01G4/30 311F ,  H01G13/00 391J
Fターム (59件)：
5D006BB01 ,  5D006BB07 ,  5D006BB08 ,  5D006CA02 ,  5D006CB07 ,  5D006FA00 ,  5D112AA02 ,  5D112AA03 ,  5D112AA05 ,  5D112AA07 ,  5D112BA01 ,  5D112BB01 ,  5D112BC07 ,  5D112BD03 ,  5D112EE01 ,  5D112FA02 ,  5D112GB01 ,  5E001AB06 ,  5E001AC02 ,  5E001AC09 ,  5E001AD01 ,  5E001AD04 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH03 ,  5E001AH04 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E001AJ04 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082AB10 ,  5E082BC39 ,  5E082EE05 ,  5E082EE13 ,  5E082EE23 ,  5E082EE27 ,  5E082EE37 ,  5E082EE39 ,  5E082EE45 ,  5E082EE50 ,  5E082FF05 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG42 ,  5E082FG56 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG28 ,  5E082HH26 ,  5E082JJ05 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ23 ,  5E082KK01 ,  5E082LL02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-088177   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (12件)
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