特許
J-GLOBAL ID：200903007597461712

スパッタ方法及びスパッタ装置

発明者：
門倉 貞夫

門倉 貞夫 について

, 
直江 正彦

直江 正彦 について


出願人/特許権者：
門倉 貞夫

門倉 貞夫 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162676
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008246
出願日： 1996年06月24日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：
【要約】【課題】 ターゲットの使用効率が高く、且つ長期安定性に優れた工業生産に適したスパッタ方法及びスパッタ装置。【解決手段】 開口部を除いてターゲットで区画された区画空間を形成し、該区画空間のターゲット表面近傍に平板マグネトロンモード、同軸マグネトロンモード及び対向モードの電磁界を形成すると共に、開口部に電子反射手段を設けて、該区画空間内にスパッタプラズマを生成し、開口部に対面配置した基板上に膜形成するスパッタ方法及びスパッタ装置。
請求項（抜粋）：
所定距離の空間を隔てて対向配置した一対の第1のターゲットと該空間の開口部を除いた側面を覆うように配置した第2のターゲットとにより該空間を開口部を除いて区画された区画空間に構成し、該区画空間内にスパッタプラズマを生成して、その開口部の前方に配置した基板上に薄膜を形成するスパッタ方法において、該区画空間内に下記プロセスA〜Dを形成し、スパッタプラズマを生成することを特徴とするスパッタ方法。プロセスA:対向した第1のターゲット外縁部の全周に沿って生成した環状の平板マグネトロンモードの電磁界に拘束されてサイクロイド運動する二次電子によるガスイオン化プロセス。プロセスB:第2のターゲットの第1のターゲットに隣接する両側縁部表面近傍に沿って形成された線状の平板マグネトロンモードの電磁界に拘束され、この電磁界の磁界に直交する方向の両端部で電子反射手段により反射されてサイクロイド運動する二次電子によるガスイオン化プロセス。プロセスC:第2のターゲットの表面の近傍空間に形成された同軸マグネトロンモードの電磁界に拘束され、この電磁界の磁界に直交する方向の両端部で電子反射手段により反射されて該電磁界を往復しながらドリフトする二次電子によるガスイオン化プロセス。プロセスD:第1のターゲット間に形成された対向モードの電磁界により拘束され、第1のターゲットで反射されて第1のターゲット間をローレンツ力により移動しつつ往復する二次電子によるガスイオン化プロセス。
IPC (2件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/35
FI (3件)：
C23C 14/34 D ,  C23C 14/34 G ,  C23C 14/35 Z
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 特公昭62-014633
  • 特公平4-011624
  • 特開平1-262610
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審査官引用 (23件)
  • 特公昭62-014633
  • 特公昭62-014633
  • 特公昭62-014633
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