特許

J-GLOBAL ID：200903007648742711

SiCN薄膜の形成方法

発明者： 阿川 義昭 ,  木内 正人 ,  松谷 貴臣
出願人/特許権者： 株式会社アルバック ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 打揚 洋次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-374123
公開番号（公開出願番号）：特開2003-171767
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】 低温で、簡単かつ再現性良くSiCN薄膜を形成する方法の提供。【解決手段】 材料ガスとしてヘキサメチルジシランを気化せしめて得たガスを用い、該ガスを成膜チャンバー内の基板上に吹き付け、一方、イオン源により窒素ガスから窒素イオンビームを発生させ、該イオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に基板上に300eV以下で照射し、300°C以下でSiCN薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

成膜チャンバー内に設置された基板上にSiCN薄膜を形成する方法であって、有機ケイ素を気化せしめて得た材料ガスを該基板上に吹き付け、一方、質量分離機構を有しないイオンビーム照射装置により発生させたプラズマ生成用ガスのイオンビームを該材料ガスの吹き付けと同時に該基板上に照射し、300°C以下でSiCN薄膜を形成することを特徴とするSiCN薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

C23C 16/42 ,  H01L 21/318 B

Fターム (12件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA41 ,  4K030FA12 ,  4K030HA16 ,  4K030JA10 ,  4K030JA17 ,  4K030LA18 ,  5F058BC20 ,  5F058BF07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198645   出願人：日新電機株式会社
• 無定形SiNC被膜を蒸着する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-287998   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション

審査官引用 (1件)

• シリコン系化合物膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-198645   出願人：日新電機株式会社

引用文献：

出願人引用 (4件)

• Structural analysis and microstructural observation of SiCxNy films prepared by reactive sputtering
• Ion beam-induced chemical vapor deposition with hexamethyldisilane for hydrogenated amorphous silico
• 有機ケイ素を用いたイオン誘起CVD法の開発
• イオンビ-ム誘起CVDによる有機ケイ素を用いたアモルファス炭化ケイ素薄膜の作製