多結晶半導体膜の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-214717
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083765
出願日： 1994年09月08日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】非晶質半導体膜を溶融・結晶化して多結晶半導体膜を得る処理において、その前処理である脱ガス処理、或いは結晶化に際して結晶粒径を大きくするための処理を同時進行で行うことにより、プロセス時間を短縮化しつつ結晶品質の向上を図ることを目的とする。【構成】単一光源から出射されるエネルギービーム15を、ミラー10の高反射率部10aにて反射させることにより、非晶質シリコン膜3を溶融するための第1ビーム15aを生成してこれを非晶質シリコン膜3に照射するとともに、高反射率部10aの両側に形成した低反射率部10bにて反射させることにより、加熱用の第2ビーム15bを生成し、前記第1ビーム15aの照射位置に対してビーム走査方向の先行位置に照射される第2ビーム15b′により脱ガスを行い、追従位置に照射される第2ビーム15b′′にて結晶粒径を大きくする処理を行う。

請求項（抜粋）：

非晶質半導体膜に結晶化のための第1のエネルギービームを照射するのに同時進行して当該第1のエネルギービーム照射位置に対してビーム走査方向に先行する位置に加熱用の第2のエネルギービームを照射することを特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平2-226718
レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-059585 出願人：株式会社ジーティシー
特開平2-226718

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