特許
J-GLOBAL ID：200903007728367342
半導体装置と半導体モジュールおよびそれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118294
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311982
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 小型で素子の実装効率が高く、素子間の配線長をほとんどゼロにすることが可能な半導体装置およびモジュールと、それらの製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置では、半導体素子基板1の素子領域形成面(表面)に形成された電極パッド2aの中央に、表裏を貫通する貫通孔3が設けられている。また、半導体素子基板1の表面および裏面に、パッシベーション膜4およびポリイミド等の絶縁樹脂膜5が形成され、裏面の絶縁樹脂膜5上で貫通孔3の開口の周りに、裏面側の電極パッド2bが形成されている。そして、貫通孔3内に中間絶縁層6が周設され、その内側に導電層7が充填・形成されている。また、導電層7の両端部には、電極パッド2a、2bに跨がって導電被覆層8a、8bがそれぞれ形成され、これらの層を介して、両面側の電極パッド2a、2bと導電層7とが電気的に接続されている。
請求項（抜粋）：
電極端子の配設位置に表裏を貫通する貫通孔を有する半導体素子基板と、この半導体素子基板の半導体素子面である表面、および反対側の裏面にそれぞれ形成された表面保護膜および絶縁樹脂膜と、前記半導体素子基板の裏面の前記絶縁樹脂膜上で、前記貫通孔の開口の周りに形成された導体パッドと、前記貫通孔の内周面に周設された中間絶縁層と、前記貫通孔内で前記中間絶縁層の内側に形成された導電層とを備え、この導電層が、前記半導体素子基板の表面側の電極端子および裏面側の導体パッドに、直接または他の導電層を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 23/12
, H01L 23/52
H01L 25/08 B
, H01L 23/12 L
, H01L 23/52 C
