特許
J-GLOBAL ID：200903007730745150
磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
四宮 通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-179036
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019497
出願日： 2003年06月24日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】アニールによる素子特性の劣化を低減する。【解決手段】磁気抵抗効果素子2の製造方法は、基体上に磁気抵抗効果層を構成する構成層24〜27を成膜する工程と、前記構成層24〜27のうちの1層以上をパターニングする工程と、前記パターニングにより前記構成層24〜27のうちの前記1層以上が除去された領域に、絶縁層30を成膜する工程と、を含む。絶縁層30を成膜する工程では、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、絶縁層30を堆積させる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
基体上に磁気抵抗効果層を構成する構成層を成膜する段階と、
前記構成層のうちの1層以上をパターニングするパターニング段階と、
前記パターニングにより前記構成層のうちの前記1層以上が除去された領域に、絶縁層を成膜する段階と、
を備え、
前記絶縁層を成膜する前記段階は、前記パターニング段階の後の前記基体に向けて希ガスを主成分とするガスのイオンビームを照射しつつ、前記絶縁層を堆積させる段階を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L43/12
, G11B5/39
, H01L43/08
H01L43/12
, G11B5/39
, H01L43/08 Z
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034CA00
, 5D034DA07
