特許
J-GLOBAL ID:200903046099672043
磁気抵抗効果素子並びにこれを用いた磁気ヘッド及びヘッドサスペンションアセンブリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
四宮 通
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-245885
公開番号(公開出願番号):特開2003-060262
出願日: 2001年08月14日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 スピンバルブ膜を用いたCPP構造を持つ磁気抵抗効果素子でありながら、従来に比べて、素子全体として得られる実際上のMR比を高める。【解決手段】 磁気抵抗効果素子2は、電極21,28間に積層された磁気抵抗効果層を持つ。磁気抵抗効果層は、非磁性層25と、これを挟むピンド層24及びフリー層26と、ピンド層24のフリー層26と反対側に形成されたピン層23と、を有する。ピン層23は、電極21,28間において膜面と略々垂直な方向に電流が流れる膜面方向の有効領域と実質的に重なる領域に、所定の厚さで形成されるとともに、前記有効領域と実質的に重ならない領域に、前記所定厚さと実質的に同じ厚さで又は前記所定厚さより薄い厚さで、前記有効領域と実質的に重なる領域から連続して形成される。
請求項(抜粋):
基体の一方の面側に形成された第1の電極と、前記第1の電極の前記基体とは反対側に形成された磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層の前記第1の電極とは反対側に形成された第2の電極と、を備え、前記磁気抵抗効果層は、非磁性層と、前記非磁性層の一方の面側に形成されたフリー層と、前記非磁性層の他方の面側に形成されたピンド層と、前記ピンド層の前記非磁性層とは反対の側に形成されたピン層とを含み、前記ピン層は、前記第1の電極と前記第2の電極との間において膜面と略々垂直な方向に電流が流れる膜面方向の有効領域と実質的に重なる領域に、所定の厚さで形成されるとともに、前記有効領域と実質的に重ならない領域に、前記所定厚さと実質的に同じ厚さで又は前記所定厚さより薄い厚さで、前記実質的に重なる領域から連続して形成された、ことを特徴とする磁気抵抗効果型素子。
IPC (3件):
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
FI (3件):
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G01R 33/06 R
Fターム (6件):
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA03
, 5D034CA00
引用特許: