特許
J-GLOBAL ID：200903066695554784

半導体装置及びその製造方法

発明者：
猪原 正弘

猪原 正弘 について

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松能 正

松能 正 について

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柴田 英毅

柴田 英毅 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-212332
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153545
出願日： 1996年08月12日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】配線幅、配線間隔縮小に対応可能な次世代の配線形成方法を提供する。【解決手段】基板11上には、ストッパ膜13aと絶縁膜13bが形成される。ストッパ膜13aには、絶縁膜13bに対してRIEによる選択比が大きいものが選択される。絶縁膜13b上には、ストッパ膜14aと絶縁膜14bが形成される。ストッパ膜14aには、コンタクトホール32のパターンが形成されている。レジスト膜35には、配線パターンが形成されている。レジスト膜35及びストッパ膜14aをマスクにしてRIEにより絶縁膜13b,14bをエッチングすると、配線形成のための溝31と、コンタクトプラグ形成のためのコンタクトホール32が自己整合的に同時に形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成される第1ストッパ膜と、前記第1ストッパ膜上に形成される第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成される第2ストッパ膜と、前記第2ストッパ膜上に形成される第2絶縁膜と、前記第2ストッパ膜と前記第2絶縁膜に設けられた溝内、及び前記第1ストッパ膜と前記第1絶縁膜に設けられ、前記溝の底部から前記半導体基板まで達するコンタクトホール内に満たされる導電部材とを具備し、前記コンタクトホールの底面と側面の角部における前記第1ストッパ膜は、前記コンタクトホールの底面または側面と前記第1ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有し、かつ、前記溝の底面と側面の角部における前記第2ストッパ膜は、前記溝の底面または側面と前記第2ストッパ膜の表面とが鈍角に交わるようにテーパ形状を有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 B
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073604   出願人：シャープ株式会社
  • 多層配線の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-238303   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平2-111054
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