太陽電池装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-297619
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111024
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】リード線接続時の半田のはみ出しによる半田突起の発生をなくし、モジュール工程での歩留まり低下を解消する。【解決手段】半導体接合部を有する半導体基板の一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成し、前記表面電極と隣接する半導体基板の裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、前記裏面電極をリード線接続用のバスバー部と、このバスバー部に接続された集電用電極部とで形成すると共に、このバスバー部を下層電極層と上層電極層とを順次積層して形成し、この下層電極層における前記リード線の延在方向の端部に切欠部を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体接合部を有する半導体基板の一主面側に表面電極を形成するとともに、他の主面側に裏面電極を形成し、前記表面電極と隣接する半導体基板の裏面電極とをリード線で接続した太陽電池装置において、前記裏面電極をリード線接続用のバスバー部と、このバスバー部に接続された集電用電極部とで形成すると共に、このバスバー部を下層電極層と上層電極層とを順次積層して形成し、この下層電極層における前記リード線の延在方向の端部に切欠部を設けたことを特徴とする太陽電池装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 , H01L 31/042

FI (2件)：

H01L 31/04 H , H01L 31/04 C

Fターム (13件)：

5F051BA14 , 5F051CB20 , 5F051DA03 , 5F051EA02 , 5F051EA09 , 5F051EA11 , 5F051EA15 , 5F051EA17 , 5F051FA14 , 5F051FA15 , 5F051FA17 , 5F051GA04 , 5F051HA03

引用特許：

審査官引用 (8件)

太陽電池及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-365859 出願人：シャープ株式会社
特開平3-283472
太陽電池素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-293174 出願人：京セラ株式会社

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