特許

J-GLOBAL ID：200903007821531594

炭化珪素材料を加工する方法

発明者： 塩谷 広樹 ,  二瓶 瑞久 ,  粟野 祐二 ,  楠 美智子 ,  鈴木 敏之 ,  本庄 千鶴 ,  堀部 雅弘
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-105237
公開番号（公開出願番号）：特開2006-021986
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年01月26日
要約：

【課題】 本発明の課題は、SiC基板を高速に加工する方法を提供することである。【解決手段】 本発明によるSiC基板10のエッチング方法は、SiC基板10に、該基板の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層14を形成するマスク工程と、露出した基板表面を含むエッチング領域16の組成を、炭化珪素SiCからグラファイトCに変化させる変質工程と、変質したエッチング領域16を除去する除去工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素より成る材料に、該材料の表面の一部を露出させ一部を被覆するマスク層を形成するマスク工程と、 露出した材料表面を含むエッチング領域の組成が、炭化珪素から炭素に変化するように熱処理を行う熱処理工程と、 エッチング領域を除去する除去工程と を有することを特徴とする炭化珪素材料を加工する方法。

IPC (2件)：

C04B 41/91 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

C04B41/91 C ,  C04B41/91 B ,  H01L21/306 A

Fターム (2件)：

5F043AA01 ,  5F043DD30

引用特許：

出願人引用 (3件)

• SiCのパターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026747   出願人：株式会社島津製作所
• SiCのパターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355043   出願人：科学技術庁長官
• SiCのパターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233528   出願人：株式会社島津製作所

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-101480
  
• SiCのパターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-355043   出願人：科学技術庁長官
• SiCのパターンエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233528   出願人：株式会社島津製作所
• 特開昭61-101480