半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291757
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312422
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETにおける短チャネル効果を抑制することができ、且つ電流駆動能力の向上をはかり得る半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】不純物を含有するシリケートガラスからの固相拡散によってMOSトランジスタのソース・ドレイン拡散層領域を形成する半導体装置の製造方法において、ゲート電極13〜15の側壁部に燐を含むシリケートガラス(PSG)膜16,17を形成した後、熱処理温度を970°C〜1020°Cの範囲に設定し、PSG膜16,17からの固相拡散によりシリコン基板11の表面に燐を拡散して高濃度で浅いソース・ドレイン拡散層領域20,21を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート及びソース・ドレイン拡散層を有するMOS型半導体装置において、ゲート長を170nm以下、チャネル近傍のソース・ドレイン拡散層の接合深さを22nm以下、ソース・ドレイン拡散層の不純物の基板表面濃度を1020cm-3以下としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-352324 出願人：株式会社東芝
特開昭61-247074
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-202813 出願人：日本電気株式会社

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