特許

J-GLOBAL ID：200903007844586396

高アスペクト比形態のエッチング方法

発明者： モスデン、アエラン ,  ハイランド、サンドラ ,  梶本 実利
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (5件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-539832
公開番号（公開出願番号）：特表2005-508078
出願日： 2002年10月31日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】【解決手段】高アスペクトシリコン形態の効果的なエッチングに対し、改善されたエッチング化学物質の使用方法と、そのための装置。プロセス化学物質は、フッ素/塩素エッチング化学物質を生成する為に的確なプリカーサーガスを使用し、同じく、十分な側壁形態を形成するための十分な強度の化学的結合を形成するために的確なプリカーサーガスも使用する。改善されたプロセス化学物質はSO2/SF4/SiCl4,SO2/SF4/Cl2、SO2/SiF4/SiCl4、SO2SiF4/Cl2,O2/F2/Cl2,O2/F2,N2O/F2/Cl2,NO2/F2/Cl2ベースの化学物質。

請求項（抜粋）：

酸素を含む第1のガスと、フッ素を含む第2のガスと、塩素を含む第3のガスと、を有するプロセスガスを供給する工程と、 そのプロセスガスからプラズマを生成する工程と、を具備する基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (22件)：

5F004AA02 ,  5F004BA06 ,  5F004BA08 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DA28 ,  5F004DA30 ,  5F004DB01 ,  5F004EA11 ,  5F004EB05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン系材料層のパターニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-251702   出願人：ソニー株式会社
• 深開口部を形成するためにプラズマ処理室内でシリコン層をエッチングする方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-612994   出願人：ラム・リサーチ・コーポレーション
• 半導体のドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-178189   出願人：株式会社デンソー